Aaaalso:
n-dotierte Schicht enthält zusätzliche Elektronen, weil z.B. manche Silicium-Atome durch Arsen ersetzt wurden.
p-dotierte Schicht enthält zu wenig Elektronen, weil z.B. manche Silicium-Atome durch Indium ersetzt wurden.
Die Dotierung erhöht also im Halbleiter die Zahl der beweglichen Elektronen oder Elektronenfehlstellen.
Bringt man nun eine n-dotierte und eine p-dotierte Schicht zusammen (so "baut" man eine Diode!), dann treffen dort, wo beide sich berühren, an der sogenannten Grenzschicht, die Elektronen und die Elektronenfehlstellen aufeinander und neutralisieren sich. Das geht, weil beide beweglich sind.
Dadurch bildet sich eine sogenannte Sperrschicht aus.
In Durchlassrichtung ist die Diode gepolt, wenn man die p-dotierte Schicht an den Pluspol und die n-dotierte an den Minuspol einer Spannungsquelle anschließt: Elektronen können in die Sperrschicht eindringen, Elektronenfehlstellen auch. Die Diode leitet.
In Sperrrichtung ist die Diode gepolt, wenn man die p-dotierte Schicht an den Minuspol und die n-dotierte an den Pluspol einer Spannungsquelle anschließt: Die Elektronen werden zum Pluspol gezogen, die Fehlstellen zum Minuspol - die Diode sperrt.
Natürlich ist das mit Bildern verständlicher.
Bitte sehr: http://www.leifiphysik.de/themenbereiche/halbleiterdiode
Versteift euch nicht zu sehr auf die Diode. Der einzige konkrete Anhaltspunkt im KC ist m.E. der Halbleiterdetektor.
n-dotierte Schicht enthält zusätzliche Elektronen, weil z.B. manche Silicium-Atome durch Arsen ersetzt wurden.
p-dotierte Schicht enthält zu wenig Elektronen, weil z.B. manche Silicium-Atome durch Indium ersetzt wurden.
Die Dotierung erhöht also im Halbleiter die Zahl der beweglichen Elektronen oder Elektronenfehlstellen.
Bringt man nun eine n-dotierte und eine p-dotierte Schicht zusammen (so "baut" man eine Diode!), dann treffen dort, wo beide sich berühren, an der sogenannten Grenzschicht, die Elektronen und die Elektronenfehlstellen aufeinander und neutralisieren sich. Das geht, weil beide beweglich sind.
Dadurch bildet sich eine sogenannte Sperrschicht aus.
In Durchlassrichtung ist die Diode gepolt, wenn man die p-dotierte Schicht an den Pluspol und die n-dotierte an den Minuspol einer Spannungsquelle anschließt: Elektronen können in die Sperrschicht eindringen, Elektronenfehlstellen auch. Die Diode leitet.
In Sperrrichtung ist die Diode gepolt, wenn man die p-dotierte Schicht an den Minuspol und die n-dotierte an den Pluspol einer Spannungsquelle anschließt: Die Elektronen werden zum Pluspol gezogen, die Fehlstellen zum Minuspol - die Diode sperrt.
Natürlich ist das mit Bildern verständlicher.
Bitte sehr: http://www.leifiphysik.de/themenbereiche/halbleiterdiode
Versteift euch nicht zu sehr auf die Diode. Der einzige konkrete Anhaltspunkt im KC ist m.E. der Halbleiterdetektor.
